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危害双电源放大器总谐波电流杂讯【亿电竞】

亿电竞电子竞技赛事平台 科技 2020年12月01日
本文摘要:在该流形中,放大器的输出位于负轨周边时,PMOS晶体管为“进”,而NMOS晶体管为“大关”。当放大器的输出更为类似于妈工作电压轨时,NMOS晶体管为“进”,而PMOS晶体管为“大关”。图1:井然有序输出级、单电源放大器:a);

杂讯

自发售至今,CMOS单电源放大器居然全世界的单电源控制系统设计工作人员受益良多。危害双电源放大器总谐波电流杂讯特噪音(THD N)特点的关键要素是输出噪音和键入级交叉式杂讯。

单电源放大器的THD N性能源于放大器的输出和键入级。殊不知,输出级对THD N的危害又让单电源放大器的这类标准自身复杂化。

  有二种单电源放大器流形能够拒不接受电源中间的输出数据信号。图1a下图流形具有一个井然有序差动保护输出级。在该流形中,放大器的输出位于负轨周边时,PMOS晶体管为“进”,而NMOS晶体管为“大关”。当放大器的输出更为类似于妈工作电压轨时,NMOS晶体管为“进”,而PMOS晶体管为“大关”。

    图1:井然有序输出级、单电源放大器:a);携带一个因此以充电电池泵的单差动保护对输出级:b)。  这类设计方案流形在共模输出范畴不容易不会有非常大的放大器失调电压差别。在短路故障工作电压周边的输出范畴,PMOS晶体管的混乱出现偏差的原因为关键出现偏差的原因。

在因此以电源周边的地区,NMOS晶体管对核心混乱出现偏差的原因。因为放大器的输出根据这两个地区中间,因而2个对皆为“进”。最终結果是,输出失调电压将在2个级中间转变。

当PMOS和NMOS皆为“进”时,共模电压地区大概为400MV。这类交叉式杂讯状况不容易危害放大器的总谐波电流杂讯(THD)。假如您以一种非转化器构造来配置井然有序输出放大器,则输出交叉式杂讯就不容易危害放大器的THD N性能。

比如,在图2中,如果不经常会出现输出过渡地区,则THD N相同0.0006%。假如THD N检测还包含了放大器的输出交叉式杂讯,则THD N相同0.004%。您能够运用一种反相互之间构造来尽量减少这类放大器交叉式杂讯。    图2:一个井然有序输出级单电源放大器的THD N性能。

  另一个关键的THD N影响因素是计算放大器的键入级。一般来说,单电源放大器的键入级有一个AB流形(要求查看图1a)。

键入数据信号做轨至轨扫瞄时,键入级说明出拥有一种与输出级交叉式杂讯类似的交叉式杂讯,由于键入级在晶体管中间变换。一般而言,更为上拉电阻的键入级静态数据电流量能够降低放大器的THD。

  放大器的输出噪音是危害THD N标准的另一个要素。高級其他输出噪音和/或低闭环控制增益值都是会降低放大器的总THD N水准。

  要要想提升井然有序输出单电源放大器的THD N性能,可将放大器放置一个反相互之间增益值构造中,并保持较低闭环控制增益值。假如系统软件回绝放大器配置为非转化器油压缓冲器,则随意选择一个具有单差动保护输出级和充电电池泵的放大器更为合适。


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